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          • PM75CSD060三菱IPM模塊PM75CSD060

            三菱IPM模塊PM75CSD060

            三菱IPM模塊PM75CSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM75CSD060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM75RSD060三菱IPM模塊PM75RSD060

            三菱IPM模塊PM75RSD060

            三菱IPM模塊PM75RSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM75RSD060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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            三菱IPM模塊PM75CBS060

            三菱IPM模塊PM75CBS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM75CBS060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50RLA060三菱IPM模塊PM50RLA060

            三菱IPM模塊PM50RLA060

            三菱IPM模塊PM50RLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50RLA060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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            三菱IPM模塊PM50CLA060

            三菱IPM模塊PM50CLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50CLA060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50RSA060三菱IPM模塊PM50RSA060

            三菱IPM模塊PM50RSA060

            三菱IPM模塊PM50RSA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50RSA060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50CTK060三菱IPM模塊PM50CTK060

            三菱IPM模塊PM50CTK060

            三菱IPM模塊PM50CTK060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50CTK060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50RSK060三菱IPM模塊PM50RSK060

            三菱IPM模塊PM50RSK060

            三菱IPM模塊PM50RSK060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50RSK060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50EHS060三菱IPM模塊PM50EHS060

            三菱IPM模塊PM50EHS060

            三菱IPM模塊PM50EHS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50EHS060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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            三菱IPM模塊PM50RHB060

            三菱IPM模塊PM50RHB060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50RHB060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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            三菱IPM模塊PM50CSE060

            三菱IPM模塊PM50CSE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50CSE060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50RHA060三菱IPM模塊PM50RHA060

            三菱IPM模塊PM50RHA060

            三菱IPM模塊PM50RHA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50RHA060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50CSD060三菱IPM模塊PM50CSD060

            三菱IPM模塊PM50CSD060

            三菱IPM模塊PM50CSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50CSD060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50RSD060三菱IPM模塊PM50RSD060

            三菱IPM模塊PM50RSD060

            三菱IPM模塊PM50RSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,PM50RSD060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

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          • PM50CTJ060-3三菱IPM模塊PM50CTJ060-3

            三菱IPM模塊PM50CTJ060-3

            三菱IPM模塊PM50CTJ060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM50CTJ060-3

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          • PM30RSF060三菱IPM模塊PM30RSF060

            三菱IPM模塊PM30RSF060

            三菱IPM模塊PM30RSF060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30RSF060

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          • PM30RMC060三菱IPM模塊PM30RMC060

            三菱IPM模塊PM30RMC060

            三菱IPM模塊PM30RMC060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30RMC060

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          • PM30RHC060三菱IPM模塊PM30RHC060

            三菱IPM模塊PM30RHC060

            三菱IPM模塊PM30RHC060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30RHC060

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          • PM30CNA060三菱IPM模塊PM30CNA060

            三菱IPM模塊PM30CNA060

            三菱IPM模塊PM30CNA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CNA060

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          • PM30CTJ060-3三菱IPM模塊PM30CTJ060-3

            三菱IPM模塊PM30CTJ060-3

            三菱IPM模塊PM30CTJ060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。PM30CTJ060-3

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