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          產(chǎn)品展示
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          三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

          三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

          型    號(hào): CM600YE2P-12F
          報(bào)    價(jià): 1888
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          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

          詳細(xì)資料:

          北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售 安川G7 變頻器IGBT

          塊,MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

          600A 600V

          CM600YE2P-12F / CM600YE2N-12F

          CM400YE2P-12F / CM400YE2N-12F

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