產(chǎn)品展示
TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50
| 型 號(hào)： | MG75Q2YS50 |
| 報(bào) 價(jià)： | 999 |
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
詳細(xì)資料：
北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50 東芝1200V；75A 2單元IGBT模塊
| 日本東芝 TOSHIBA IGBT 2單元600V系列： | |||
| MG25J2YS40 | MG50J2YS50 | MG50J2YS40 | MG50H2YS1 |
| MG50BZ100 | MG75H2YS1 | MG75J2YS40 | MG75J2YS50 |
| MG100J2YS40 | MG100J2YS41 | MG100J2YS50 | MG100H2ZS1 |
| MG100G2YS1 | MG150J2YS50 | MG150J2YS40 | MG200J2YS50 |
| MG200J2YS40 | MG300J2YS50 | MG300J2YS40 | MG400J2YS50 |
| MG400J2YS40 | MG400J2YS60A | MG600J2YS60A | MG600J2YS60 |
| MG600J2YS59 | MG800J2YS50A | ||
