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          產(chǎn)品展示
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          富士IGBT模塊7MBI40N-120

          富士IGBT模塊7MBI40N-120

          型    號: 7MBI40N-120
          報    價: 999
          分享到:

          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

          詳細(xì)資料:

          北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售富士7單元IGBT模塊7MBI40N-120

          Features
          · High Speed Switching
          · Voltage Drive
          · Low Inductance Module Structure
          · Dynamic Brake Circuit

          日本fuji富士 IGBT 模塊7單元600V系列:
          7MBI100SA-0607MBI150SA-0607MBI200SA-0607MBI150U2E-060
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